第1题：
外围电路用ECL电路，使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。
A．32
B．64
C．128
D．256
第2题：
第3题：
第4题：
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
第5题：
第6题：
用64K×8的RAM芯片和32K×16的ROM芯片设计一个256K×16的存储器，地址范围为00000H～3FFFFH，其中ROM的地址范围为10000H～1FFFFH，其余为RAM的地址。则地址线为(1)根，数据线为(2)根；ROM需要(3)片，RAM需要(4)片。
CPU执行一段程序时，Cache完成存取的次数为5000次，主存完成存取的次数为200次。已知Cache的存取周期为40ns，主存的存取周期为160ns。其两级存储器的平均访问时间为(5)ns。
A．18
B．9
C．16
D．8
第7题：
第8题：
在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )。
A．每次一个单元
B．每次刷新512个单元
C．每次刷新256个单元
D．一次刷新全部单元
第9题：
下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法？（）
第10题：
用1024×1位RAM芯片设计一个128KB的存储器系统，问需要（）片芯片组成。