什么是离子注入损伤?

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问答题
什么是离子注入损伤?
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相似问题和答案

第1题:

热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。


正确答案: 离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成;损伤晶体空位密度大于非损伤晶体,且存在大量间隙原子和其他缺陷,使扩散系数增大,扩散效应增强;故,虽然热退火温度低于热扩散温度,但杂质的扩散也是非常明显的,出现高斯展宽与拖尾现象。

第2题:

离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

  • A、能量
  • B、剂量

正确答案:A

第3题:

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。

  • A、能量
  • B、剂量

正确答案:B

第4题:

什么叫离子注入,它的特点是什么?


正确答案: 在真空中将元素电离,并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注

入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度

能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注

入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度

能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

第5题:

在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。

  • A、长度
  • B、深度
  • C、宽度
  • D、表面平整度

正确答案:B

第6题:

离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?


正确答案:氧化层保护表面免污染,免注入损伤,控制注入温度。

第7题:

离子注入后为什么要进行退火?


正确答案:推进,激活杂质,修复损伤。

第8题:

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?


正确答案: 沟道效应:对晶体靶进行离子注入,当离子速度方向平行于主晶轴时,将很少受到核碰撞,离子将沿沟道运动,注入深度很深。由于沟道效应,使注入离子浓度的分布产生很长的拖尾,对于轻原子注入到重原子靶时,拖尾效应尤其明显。解决办法:A.偏离轴注入,采用7°的倾斜角,但并不能完全消除沟道效应。B.注入前破坏晶格结构,使用Si、F或Ar离子注入完成硅的预非晶化。C.使用薄的屏蔽氧化层,使离子进入晶体前的速度方向无序化,但会将部分氧注入晶体。(1)偏轴注入:一般选取5~7倾角,入射能量越小,所需倾角越大(2)衬底非晶化预处理:进行一次高剂量Ar+注入,使硅表面非晶化(3)非晶层散射:表面生长200~250Å二氧化硅(ScreenOxidE.,使入射离子进入硅晶体前方向无序化(4)注入杂质的自非晶化效应:重杂质(As),高剂量注入。

第9题:

离子注入


正确答案:离子注入:将预先选择的元素原子电离,经电场加速,获得高能量后注入工件的表面改性工艺。

第10题:

问答题
离子注入的主要缺点是什么?如何克服?

正确答案: 1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。(高温退火进行修复)。
2、注入设备的复杂性。(被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补)。
解析: 暂无解析