用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

第1题：

第2题：

以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）

• A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小
• B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大
• C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子
• D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量

第3题：

第4题：

在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为（）。

• A、磁电效应
• B、声光效应
• C、光生伏特效应
• D、光电导效应

第5题：

用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

• A、低于
• B、等于或大于
• C、大于

第6题：

在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

第7题：

符合²²⁶镭特点的是（）

• A、产生光子，平均能量0.83MeV，半衰期1590年
• B、产生光子，平均能量1.25Mer，半衰期5.27年
• C、产生光子，平均能量0.36MeV，半衰期74.2天
• D、产生电子，平均能量2.28MeV，半衰期28.1年
• E、产生中子，平均能量2.35MeV，半衰期2.65年

第8题：

第9题：

半导体陶瓷的物理效应：（）、（）、（）、p-n结

第10题：

在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。