对
错
第1题：
X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时，发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射
B、光电效应
C、康普顿效应
D、电子对效应
E、光核作用
光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等
B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能
C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能
D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能
E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等
当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射
B、光电效应
C、康普顿效应
D、电子对效应
E、光核作用
当入射光子能量等于或大于1．02MeV时可以出现A、相干散射
B、光电效应
C、康普顿效应
D、电子对效应
E、光核作用
当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时，会发生A、相干散射
B、光电效应
C、康普顿效应
D、电子对效应
E、光核作用
第2题：
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
第3题：
A、本征半导体
B、P型半导体
C、N型半导体
D、PN结
第4题：
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
第5题：
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
第6题：
第7题：
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
第8题：
受激吸收的特点错误的是
A、不是自发产生的
B、需要有外来光子的激发才会发生
C、外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生
D、受激吸收对激发光子的振动方向没有限制
E、受激吸收对激发光子的传播方向有限制
第9题：
受激吸收的特点错误的是（）
第10题：
何为本征半导体及本征吸收？