对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。

题目
判断题
对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
A

B

参考答案和解析
正确答案:
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第1题:

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

A、栅源电流

B、栅源电压

C、漏源电流

D、漏源电压


参考答案:B

第2题:

晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。

A、随基极电流的增加而增加

B、随基极电流的增加而减小

C、与基极电流变化无关,只决定于Ucc和Rc


参考答案:C

第3题:

当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于______。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.放大或饱和区


正确答案:A

第4题:

爆破地震波强度随爆破药量的增大而增大,随爆源距离的增大而增大。


正确答案:错误

第5题:


A.截止区IB≤0,饱和区IC不随,IB的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化
B.截止区IB≈0,饱和区IC随IB的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化
C.截止区IB≤0,饱和区IB随IC的增大或减小而变化,放大区IC随IB的控制而变化
D.截止区IB≤0,饱和区IC随IB的增大或减小而变化,放大区IB随IC的控制而变化

答案:A
解析:

第6题:

爆破地震波强度随爆破药量的增大而增大,随爆源距离的增大而增大。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第7题:

砌体结构的受压承载力影响系数φ(  )。

A.随高厚比的增大而减小
B.随高厚比的增大而增大
C.随相对偏心距的增大而增大
D.与材料强度等级无关

答案:A
解析:
受压承载力影响系数φ是高厚比和轴向力的偏心距对受压构件承载力的影响系数,随高厚比的增大而减小,随相对偏心距的增大而减小。

第8题:

混合加热循环的理论热效率( )。

A.随压缩比增大而减小.随初膨胀比增大而增大

B.随压力升高比和初膨胀比减小而减小,随绝热指数增大而增大

C.随压力升高比和初膨胀比增大而增大

D.随压缩比和压力升高比增大而增大,随初膨胀比减小而增大


正确答案:D

第9题:

下列说法错误的是()。

  • A、摩尔吸光系数随浓度增大而增大
  • B、吸光度A随浓度增大而增大
  • C、透射比T随浓度增大而减小
  • D、透射比T随比色皿加厚而减小

正确答案:A

第10题:

循环热效率ηt随压缩比ε增大而();随预膨胀比ρ值增大而明显()


正确答案:上升;下降

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