在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。

题目
单选题
在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。
A

刻蚀

B

离子注入

C

光刻

D

金属化

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第1题:

在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。


正确答案:正确

第2题:

按制造工艺集成电路分为()。

  • A、半导体集成电路
  • B、TTL集成电路
  • C、厚膜集成电路
  • D、薄膜集成电路
  • E、CMOS集成电路

正确答案:A,C,D

第3题:

下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。

A、膜集成电路

B、半导体集成电路

C、混合集成电路

D、模拟集成电路


参考答案:D

第4题:

在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()

  • A、温度
  • B、掺杂元素
  • C、掺杂浓度
  • D、掺杂工艺

正确答案:A

第5题:

电火花加工是模具制造中的先进工艺,通常此工艺应安排在淬火以前进行。


正确答案:错误

第6题:

按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。

  • A、数字
  • B、厚膜
  • C、小规模
  • D、专用

正确答案:B

第7题:

集成电路按照制造工艺可分为()。

  • A、半导体集成电路
  • B、薄膜集成电路
  • C、数字集成电路
  • D、厚膜集成电路

正确答案:A,B,D

第8题:

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()

  • A、双极性集成电路
  • B、TTL集成电路
  • C、CMOS集成电路
  • D、单极性集成电路

正确答案:A,D

第9题:

PLC由于采用现代大规模集成电路技术,采用严格的生产工艺制造,内部电路采取了先进的抗干扰技术,具有很高的可靠性。


正确答案:正确

第10题:

问答题
简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。

正确答案: ①双阱工艺;
②浅槽隔离工艺;
③多晶硅栅结构工艺;
④轻掺杂漏(LDD)工艺;
⑤侧墙形成工艺;
⑥源/漏(S/D)注入工艺;
⑦接触形成工艺。
解析: 暂无解析