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关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位

题目

关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）

  • A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内
  • B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少
  • C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高
  • D、突触后膜出现超极化电位
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第1题：

关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()

A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

B.突触前轴突末梢去极化

C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D.Ca2+由膜外进人突触前膜内

E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


正确答案：E
抑制性递质作用于突触后膜，是突触后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，是突触后膜发生超级化，膜电位减小。

第2题：

对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

A．突触前轴突末梢超极化

B．对Ca2+、K+通透性增大

C．突触后膜出现超极化

D．突触后膜去极化

E．突触前膜去极化


正确答案：C

第3题：

关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。

A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

D.突触前轴突末梢去极化

E.Ca2由膜外进入突触前膜内


正确答案：B

第4题：

抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）

  • A、突触前轴突末梢去极化
  • B、Ca2+由膜外进入突触前膜内
  • C、突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合
  • D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
  • E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

正确答案:E

第5题：

关于兴奋性突触传递的叙述，错误的是

A.突触前轴突末梢去极化
B. Ca2+进入突触前膜内
C.突触前膜释放递质是以102个分子为单位
D.突触后膜Na+、K+，特别是Na+通透性增高

答案：C
解析：

第6题：

关于兴奋性突触传递过程的叙述，错误的是()

A.突触后膜膜电位去极化达到阈值时，引起突触后神经元发放冲动

B.突触后膜对Na+、K+、Ca2+，特别是对K+的通透性升高

C.突触前轴突末梢去极化

D.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

E.Ca2+由膜外进入突触前膜内


正确答案：B
兴奋性递质作用于突触后膜相应受体，使递质门控通道开放，厚膜对Na+和K+的通透性增大。

第7题：

产生兴奋性突触后电位过程中

A．突触前轴突末梢除极化

B．Ca2+由突触前膜外进入膜内

C．突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合

D．突触后膜对Na+、K+、Ca2+特别是K+通透性升高


正确答案：ABC
解析：[考点]突触后电位；[解析]突触后膜主要是对Na+、K+，特别是Na+通透性高。

第8题：

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

A．突触前末梢去极化

B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


正确答案：E
解析：IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。

第9题：

关于兴奋性突触传递的叙述，哪项是错误的（）。

  • A、突触前轴突末梢去极化
  • B、Ca2+进入突触前膜内
  • C、突触前膜释放递质是以102个分子为单位
  • D、突触后膜对Na+、K+，特别是对Na+的通透性增高
  • E、突触后膜去极化达阈电位时，突触后神经元发放冲动

正确答案:C

第10题：

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。

  • A、突触前轴突末梢超极化
  • B、对Ca2+、K+通透性增大
  • C、突触后膜出现超极化
  • D、突触后膜去极化
  • E、突触后膜出现复极化

正确答案:C

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