产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
第1题：
分子吸收红外光产生电子跃迁，吸收紫外——可见光后产生转动跃迁。
第2题：
原子荧光光谱是（）
第3题：
电子跃迁的类型不正确的是
A．π→π*跃迁
B．n→n*跃迁
C．π→σ*跃迁
D．σ→σ*跃迁
E．n→π*跃迁
第4题：
红外吸收光谱的产生是由（）
第5题：
原子发射光谱是由（）跃迁产生的，线光谱的原因是（）的（）。
第6题：
下述哪种跃迁产生散射光谱？（）
第7题：
原子吸收光谱产生的原因是（）。
第8题：
特征辐射的产生是由于（ ）
第9题：
在极性溶剂中π→π*跃迁产生的吸收带蓝移，而n→π*跃迁产生的吸收带则发生红移。
第10题：
下列哪种跃迁产生拉曼散射光谱？（）