可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
第1题：
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
第2题：
三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。
第3题：
35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值，应符合下列规定（）
第4题：
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
第5题：
可控硅的正向阻断是（）。
第6题：
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
第7题：
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
第8题：
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。
第9题：
当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时，则应该选用（）。
第10题：
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。