简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。

题目

简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。

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相似问题和答案

第1题:

简述AMOLED和PMOLED的区别。


正确答案:PMOLED也存在类似无源矩阵液晶显示的交叉串扰现象。在选通像素发光时,相邻像素也会有不同程度发光的现象。OLED本身是电流发光器件,存在电极的电阻率、电极间的漏电、分布式电容。非选通像素上的等效电容和电极间的漏电,会引起脉冲信号在电极间的串扰,导致交叉串扰现象,显示图像失真。PMOLED具有结构简单、成本低的优点,主要用于信息量低的简单显示中。
AMOLED是采用薄膜晶体管驱动的有机发光显示器,优点是:
1)同一画面的各个像素是同时发光,发光亮度高、寿命长;
2)各个像素独立控制,驱动电压也降低,耗电少,适合大面积显示;
3)避免交叉串扰。

第2题:

制动系统驱动性能要求有哪些?


正确答案:驱动机构产生的推力值的变化不应超过额定值的5%;
如果没有特别说明,驱动机构的响应时间不应大于2S;
驱动机构中传递力和力矩的零部件应有足够的强度和刚度。
液压驱动机构的管路连接和密封部位应具有可靠的密封性能。
驱动机构的动作应灵活可靠,准确到位。
电磁驱动机构,其电器外壳的保护等级不应低于IP54级。

第3题:

关于业务流模板TFT,以下描述错误的是哪项()。

A.每个承载都有相应的TFT模板

B.PGW保存DL TFT,将SDF绑定到下行EPS承载

C.UE保存UL TFT,将SF绑定到上行EPS承载

D.TFT只能匹配某些准则的分组


答案:A

第4题:

分析n沟道2T1C驱动电路的缺点?并解释为什么a-Si:H TFT驱动OLED会有困难?


正确答案:n沟道2T1C驱动电路中,T2管的栅源电压VGS由信号电压和OLED电压决定。该电路有两个缺点:
1)一部分信号电压施加到了OLED上,而不是全部施加到驱动TFT的栅极上。要获得同p沟道相同的像素电流,需要更高的信号电压;
2)驱动TFT的栅源电压要受到OLED性质的影响,可能会随着制造工艺中OLED器件的不同而变化,也可能随着OLED工作时间而变化。
a.Si:H TFT是n沟道的薄膜晶体管,不能制作出p沟道的TFT,要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT,驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构,对OLED制备工艺的难度要求较低,OLED的性能好。

第5题:

TFT-LCD采用了()的方式来驱动。

  • A、“主动式矩阵”
  • B、“被动式矩阵”
  • C、“主动式驱动”
  • D、“被动式驱动”

正确答案:A

第6题:

AMOLED屏幕具有省点特性


正确答案:正确

第7题:

试分析数控机床中伺服驱动系统的作用及主要性能要求?


正确答案: 作用:准确执行CNC装置发出的位置和速度指令信号,由伺服驱动电路作一定转换和放大后,经伺服电动机和机械传动机构,驱动机床工作台等运动部件实现工作进给快速运动以及位置控制。
要求:位移精度高,调速范围宽,响应速度快,稳定性好,低速大转矩。

第8题:

简述TFT-LCD的工作原理。


正确答案:TFT液晶显示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行扫描和列寻址线,构成一个矩阵,在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。同一行中与各像素串连的场效应管(FET)的栅极是连在一起的。而信号电极Y将同一行中各FET的漏极连在一起。而FET的源极则与液晶的像素电极相连。为了增加液晶像素的驰豫时间,还对液晶像素并联上一个合适电容。
当扫描到某一行时,扫描脉冲使该行上的全部FET导通。同时各列将信号电压施加到液晶像素上,即对并联电容器充电。这一行扫描过后,各FET处于开路状态,不管以后列上信号如何变化,对未扫描行上的像素都无影响,即信号电压可在液晶上保持接近一帧时间,使占空比达到百分之百,而与扫描行数无关。

第9题:

简述OSN9500的性能指标、特点和关键点。


正确答案: 1)OSN9500业务能力:强调40槽位,具有大容量的业务接入能力;
2)全交叉功能,高阶能力为720G,低阶40G;
3)高可靠性设计:网络曾支持MESH等多种保护方式。

第10题:

简述TFT在液晶显示器中的作用。


正确答案:TFT在液晶显示器中起着开关的作用,器件性能的优劣直接影响图像显示的质量。