简述氧化物薄膜晶体管的特点。

题目

简述氧化物薄膜晶体管的特点。

如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。


正确答案:1)第一次光刻有源岛;
2)第二次光刻栅极;
3)第三次光刻n-区和n+区掺杂;
4)第四次光刻p+区掺杂;
5)第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极;
6)第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7)第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层,而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷(PH3)通过离子掺杂(或离子注入)掺入磷P,除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域,掺杂浓度为1017~1018cm-3,为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜,再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷,而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后,形成重掺杂区,掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态,重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第2题:

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


正确答案:优点:1)具有较高的载流子迁移率;
2)多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小,稳定性高,更适合作为AMOLED显示的驱动器件;
3)由于迁移率高,还可以减小TFT器件的尺寸,可以保证一样的开态电流,但像素开口率提高;
4)容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件,实现周边驱动的CMOS集成电路。

第3题:

简述大气中氮氧化物对植物的危害。
氮氧化物对植物的毒性较其它大气污染物要弱,一般不会产生急性伤害,而慢性伤害能抑制植物的生长。危害症状表现为在叶脉间或叶缘出现形状不规则的水渍斑,逐渐坏死,而后干燥变成白色、黄色或黄褐色斑点,逐步扩展到整个叶片。

第4题:

简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。


正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时,在源到漏之间沟道没有形成,TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大,在绝缘层与a-Si:H层的界面附近,非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累,形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。

第5题:

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。


正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜,溅射源漏金属层,光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层,利用高温环境去氢处理,再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜,相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层,光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层,相当于第三层介质层,保护TFT。光刻形成需要的孔,让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种:第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层,露出源漏金属层;第二种是刻蚀第三层介质层,露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触,与源漏电极相连。
存储电容为传统结构,由栅极金属层和像素电极ITO,中间夹着第三介质层构成。

第6题:

简述氧化物和氢氧化物的的阳离子。


正确答案: 惰性气体型离子(si.Al)和过渡性离子(FE.Mn.Ti.Cr)。

第7题:

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


正确答案:1)高迁移率;
2)容易p型和n型掺杂;
3)自对准结构;
4)抗光干扰能力强;
5)抗电磁干扰能力强。

第8题:

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。


正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程:
栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程:
栅极→a-Si:H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

第9题:

简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。


正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点:
1)利用自对准工艺,寄生电容降到最低,响应速度很快;
2)较高的迁移率以及沟道长度的微细化,有利于进一步提高响应速度;
3)在周边驱动的CMOS电路中,利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性,不受关态泄漏电流的影响,使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路;
4)沟道长度微细化后,TFT尺寸缩小,周边驱动电路的面积缩小,非常适合高精度、高清晰的显示;
5)在考虑漏极的耐压极限后,常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后,耐压能力提高,沟道长度可以设计到1.5~2μm。

第10题:

简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?


正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用,使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻,再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率,又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜,还能降低缺陷提高成品率。