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IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。A、MOSFETB、GTOC、SCRD、GTR

题目

IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。

  • A、MOSFET
  • B、GTO
  • C、SCR
  • D、GTR
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第1题：

以下器件属于通过门极信号既能控制其导通又能控制其关断的器件的是：()

A、BJT

B、GTO

C、SCR

D、IGBT


参考答案：A,C,D

第2题：

试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。


参考答案：GTR的容量中等，工作频率一般在10kHz以下，电流控制型器件，所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100kHz以上，电压控制型器件，所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但为电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。

第3题：

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。

A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT

B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT

C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE

D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE


正确答案:C

第4题：

采用交-直-交技术的变频器，整流环节通常使用哪些电力电子器件？（）

  • A、二极管、三极管、MOSFET
  • B、运算放大器、二极管、GTO
  • C、电力二极管、晶闸管、IGBT
  • D、三极管、场效应管、GTR

正确答案:C

第5题：

IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

A.输出饱和压降低；

B.输入阻抗高；

C.开关速度高；

D.通态度损耗小；


参考答案：A, B, C, D

第6题：

IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR&"160;

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTO


参考答案：B

第7题：

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0


参考答案：B

第8题：

IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。

A、GTM

B、GTN

C、GTO

D、GTR


参考答案：C

第9题：

IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。

  • A、MOSFET
  • B、GTO
  • C、SCR
  • D、GTR

正确答案:A

第10题：

绝缘栅双极晶体管指的是（）。

  • A、MOSFET
  • B、GT0
  • C、IGBT
  • D、GTR

正确答案:C

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