实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
第1题：
反应离子腐蚀是（）。
第2题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
第3题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
第4题：
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
第5题：
光刻和刻蚀的目的是什么？
第6题：
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。
第7题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第9题：
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
第10题：
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。