p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。
第1题：
第2题：
第3题：
A、满带指能带已经充满电子
B、禁带是指电子不能存在的区域
C、能带的电子充填情况等同于原子能级
D、能带中能级的密度随能量增加而增加
第4题：
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
第5题：
在发射光谱分析中，仪器所测得的谱线是原子（）过程中产生的。
第6题：
第7题：
第8题：
原子光谱是由哪种跃迁产生的
A、原子在能级之间
B、基态原子在能级之间
C、电子在能级之间
D、电子在基态原子的能级之间
E、电子在激发态原子的能级之间
第9题：
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
第10题：
原子发射光谱中，主共振线是由（）与基态之间的能级跃迁所产生的。