晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么?

题目

晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么?

参考答案和解析
正确答案: 内部条件
基区:较薄,掺杂浓度低.
发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高).
集电区:面积较大(利于少子漂移).
外部条件
发射结加正向偏置电压,使其正向导通.
集电结加反向偏置电压,使其反向截止
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相似问题和答案

第1题:

晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。


参考答案:减小 稳不定

第2题:

当晶体管基极电流有一个微小的变化时,将引起集电极电流()多的变化。这就是晶体管的()放大作用。


正确答案:较;电流

第3题:

三极管具有放大作用外部电压条件是发射结和集电结都正偏。()


参考答案:错误

第4题:

晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?


正确答案: 内部结构条件——发射区高掺杂,其中多数载流子浓度很高,基区很薄,且低掺杂,则基区中多子的浓度很低;外部条件——外加电源极性应使发射结正向偏置,集电结反向偏置即使“Uc>Ub>Ue-最大整流电流Iom二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。反向工作峰值电压Urwm是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压,一般是二极管反向击穿电压CBR的一半或三分反向峰值电流Irm是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,IR、,受温度的影响大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流较大,为硅管的几十到几百倍

第5题:

晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么?


正确答案: 内部条件是:发射区掺杂浓度最大,基区薄且掺杂浓度最小,集电区区域最大。
外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。

第6题:

为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。

A.掺杂少

B.鼠掺杂多

C.纯净

D.不掺杂


参考答案:A

第7题:

晶体管电流放大作用的实质是什么?为什么晶体管具有电流放大作用?


正确答案:晶体管电流放大作用的实质是以微小的基极电流变化控制集电极电流较大的变化。由于晶体管基区做得很薄,而且其发射区的掺杂浓度远远大于基区,在发射结加正向电压集电结加反向电压的情况下,由发射区扩散到基区的载流子在基区复合得很少,大部分在集电结电场的作用下进入集电区,使集电极电流远远大于基极电流,表现出晶体管的电流放大作用。

第8题:

晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。


参考答案:发射 集电

第9题:

为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。

  • A、掺杂少
  • B、鼠掺杂多
  • C、纯净
  • D、不掺杂

正确答案:A

第10题:

晶闸管和晶体管都能用小电流控制大电流,因此它们都具有放大作用。


正确答案:错误