抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()
第1题:
突触前抑制是由于突触前膜 ( )
A.兴奋性递质释放减少
B.产生抑制性突触后电位
C.释放抑制性递质
D.递质耗竭
E.产生超极化
第2题:
对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触前轴突末梢超极化
B.对Ca2+、K+通透性增大
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜去极化
E.突触前膜去极化
第3题:
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
第4题:
第5题:
第6题:
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
第7题:
第8题:
膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。
第9题:
第10题: