在半固体培养基内可出现倒伞形生长的是（）
第1题：
以下叙述错误的是
A、培养基制备过程中需调pH
B、根据细菌在固体培养基上的生长特点，可将菌落分为S型、R型、M型三型
C、细菌在液体培养基中可出现混浊生长、沉淀生长和菌膜生长三种状态
D、挑取一个菌落接种到另一培养基中培养称为纯培养
E、在液体培养基中加入2％～3%琼脂，即为半固体培养基
第2题：
在半固体培养基中呈云雾状生长，距培养基表面数毫米处出现一个倒伞形生长区，此菌是
A．铜绿假单胞菌
B．霍乱弧菌
C．产单核李斯特菌
D．阴沟肠杆菌
E．金黄葡萄球菌
第3题：
关于穿刺接种法，错误的是
A.用接种针或接种环接种
B.可以是固体培养基，也可以是半固体培养基
C.半固体培养基多用于观察细菌动力
D.若细菌在半固体培养基中只沿穿刺线生长，则无动力
E.若细菌有动力，穿刺线周围的半固体培养基会变混浊
第4题：
在半固体培养基内可以出现倒伞行生长的是
A、白喉棒状杆菌
B、产单核李斯特菌
C、炭疽芽孢杆菌
D、厌氧类白喉棒状杆菌
E、枯草芽孢杆菌
第5题：
A、肺炎链球菌
B、金黄色葡萄球菌
C、大肠埃希氏菌
D、白喉棒状杆菌
E、产单核李斯特菌
第6题：
关于穿刺接种法，错误的是
A、用接种针或接种环接种
B、可以是固体培养基，也可以是半固体培养基
C、半固体培养基多用于观察细菌动力
D、若细菌在半固体培养基中只沿穿刺线生长，则无动力
E、若细菌有动力，穿刺线周围的半固体培养基会变浑浊
第7题：
产单核李斯特菌在半固体培养基中可出现：
A、沉淀生长
B、浑浊生长
C、表面形成菌膜
D、产生色素
E、倒伞形生长
第8题：
产单核李斯特菌在半固体培养基中培养可出现
A.沉淀生长
B.浑浊生长
C.表面形成菌膜
D.产生色素
E.倒伞形生长
第9题：
在半固体培养基内可以出现倒伞行生长的是
A．白喉棒状杆菌
B．产单核李斯特菌
C．炭疽芽胞杆菌
D．厌氧类白喉棒状杆菌
E．枯草芽胞杆菌
第10题：
在半固体培养基内可出现倒伞形生长的是
A．蜡样芽胞杆菌
B．伤寒沙门菌
C．红斑丹毒丝菌
D．产单核细胞李斯特菌
E．鲍曼不动杆菌