生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么?

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问答题
生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么?
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相似问题和答案

第1题:

矿质养分含量丰富的自然土壤发生层是()。

  • A、淋溶层
  • B、淀积层
  • C、母岩层
  • D、母质层

正确答案:B

第2题:

离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?


正确答案:氧化层保护表面免污染,免注入损伤,控制注入温度。

第3题:

典型土壤剖面可划为三个基本层:A层:地表最上端,腐殖质在这一层聚积;B层:粘粒在这里淀积,称淀积层或过渡层;C层:不同程度风化物构成,称为母质层。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第4题:

植物残体分解产生酸使土壤中的铁、铝、锰氧化物淋失形成的白色淋溶层为()。

  • A、覆盖层
  • B、腐殖质层
  • C、灰化层
  • D、淀积层

正确答案:C

第5题:

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。


正确答案:含有硅的化合物

第6题:

采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?


正确答案:多晶硅薄膜
用TEOS(正硅酸乙酯)-臭氧方法淀积SiO2 Si(C2H5O4)+8O3 SiO2+10H2O+8CO2
优点:
A.低温淀积;
B.高的深宽比填隙能力;
C.避免硅片表面和边角损伤。

第7题:

什么是硅片的自然氧化层?由自然氧化层引起的三种问题是什么?


正确答案:自然氧化层:如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中,硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿,当硅片表面暴露在空气中时,一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面,这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。
自然氧化层引起的问题是:
①将妨碍其他工艺步骤,如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区,如果有氧化层的存在,将增加接触电阻,减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响

第8题:

植物残体分解产生酸使土壤中的铁、铝、锰氧化物淋失形成的白色淋溶层为()。

A.覆盖层

B.腐殖质层

C.灰化层

D.淀积层


正确答案:C

第9题:

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


正确答案:氧化;气相

第10题:

具有腐殖质层、淋溶层、淀积层和母质层结构的土壤是()。

  • A、自然土壤
  • B、农业旱地土壤
  • C、农业水田土壤
  • D、以上都不对

正确答案:A