P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
第1题：
第2题：
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
第3题：
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
第4题：
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
第5题：
遮栏分为（）几种。
第6题：
绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
第7题：
遮拦分为（）几种。
第8题：
GTO指的是( )。
A、电力场效应晶体管
B、绝缘栅双极晶体管
C、电力晶体管
D、门极可关断晶闸管
第9题：
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
第10题：
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。