杂质半导体()A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定

题目

杂质半导体()

  • A、自由电子和空穴的浓度不相等
  • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
  • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
  • D、自由电子和空穴的浓度无法确定
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第1题:

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子


参考答案:AC

第2题:

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子,空穴;扩散,飘移 
  • B、空穴,自由电子;漂移,扩散 
  • C、空穴,自由电子;扩散,漂移 
  • D、自由电子,空穴;漂移,扩散 
  • E、自由电子,空穴;扩散,扩散

正确答案:C

第3题:

N型半导体中,自由电子的数目和空穴的数目()。

A、自由电子数目多

B、空穴的数目多

C、相同

D、不能确定


参考答案:A

第4题:

P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。

  • A、空穴;空穴
  • B、空穴;自由电子
  • C、自由电子;空穴
  • D、自由电子;自由电子

正确答案:B

第5题:

在纯净半导体内掺入适量的硼元素后,整个半导体()。

  • A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度
  • B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度
  • C、空穴和自由电子的浓度不变

正确答案:A

第6题:

P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A、大于

B、小于

C、等于

D、大于或等于


参考答案:B

第7题:

半导体中空穴电流是由()

  • A、价电子填补空穴形成的
  • B、自由电子填补空穴形成的
  • C、空穴填补自由电子形成的
  • D、自由电子定向运动形成的

正确答案:A

第8题:

下列关于P型半导体的说法正确的是()。

A、自由电子`数大于空穴总数

B、空穴总数远大于自由电子数

C、自由电子成为多数载流子

D、空穴成为少数载流子


正确答案:B

第9题:

杂质半导体()

  • A、自由电子和空穴的浓度不相等
  • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
  • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
  • D、自由电子和空穴的浓度无法确定

正确答案:A

第10题:

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷
  • E、空穴
  • F、自由电子

正确答案:A,C

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