何为高掺杂效应？

题目

何为高掺杂效应？

参考答案和解析

正确答案: 硅中杂质浓度高于称为高掺杂，由于高掺杂而引起的禁带收缩、杂质不能全部电离和少子寿命下降等等现象统称为高掺杂效应

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第1题：

何为呼吸效应？TD-SCDMA中的呼吸效应为什么不明显？

正确答案:呼吸效应：CDMA多址干扰，小区半径随UE增加而改变。为何不明显：扩频长度为16，同频同时8个用户；智能天线+联合检测技术。

第2题：

在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？

正确答案: 1﹑硅的能带边缘出现了一个能带尾态，于是禁带缩小到两个尾态边缘间的宽度。
2﹑随着杂质浓度的增加，杂质能级扩散为杂质能带，并且有可能和硅的能带相接，而使硅的能带延伸到杂质能带的边缘，禁带也就变小了。
3﹑高浓度的杂质使晶格发生宏观应变，从而造成禁带随空间变化而使禁带缩小。

第3题：

何为阳极效应?在临床中如何应用?

正确答案：答：在平行于x线管的长轴方向上，近阳极端的有效焦点小，X线量少，X线阴极端的有效焦点点大，x线量多。在垂直于x线管的长轴方向上，有效焦点的大小对称相等，x线量分布对称相等。在摄影时应将肢体厚度大的组织靠近阴极端，细微结构靠近刚极端。

第4题：

何为擎住效应？危害是什么？如何避免？

正确答案:由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管，当漏极电流大于规定的临界值时，该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通，使PNP管也饱和导通，结果IGBT的栅极失去控制作用，这就是擎住效应。
IGBT发生擎住效应后漏极电流增大，造成过高的功耗，最后导致器件损坏。
避免措施：
1.不使漏极电流超过临界值；
2.加大栅极电阻，延长IGBT的关断时间。

第5题：

何为呼吸效应？

正确答案: 小区呼吸效应为：随着业务量的增加（或减小），小区覆盖半径收缩（或扩大）的动态平衡现象

第6题：

何为放大效应？为什么会出现放大效应？何为冷模试验？

正确答案: 反应器放大后，一般会引起大小反应器间的热量，质量传递及流体流动状况等物理过程变化，造成两者速度，温度，浓度分布及停留时间分布的差异，影响反映结果效应称之为放大效应。
掌握设备的几何尺寸及操作条件对搅拌釜内动量，热量，质量，停留时间分布和微观混合的定量关系的试验称冷模试验。

第7题：

何为确定性效应？

正确答案:确定性效应是指：通常情况下存在剂量阈值的一种辐射效应，超过阈值时，剂量愈高则效应的严重程度愈大。

第8题：

何为压延效应?产生压延效应的原因是什么?如何减小压延效应?

参考答案：物料在压延过程中，在通过压延机辊筒间隙时受到很大的剪切应力和一些拉伸应力，因此高聚物大分子会沿着压延方向作定向排列，以致制品在物理机械性能上出现各向异性，这种现象称为压延效应。
减小压延效应可以通过提高物料的温度以加强分子热运动;降低辊速以增加压延时间;增加制品厚度以减小剪切力;压延后缓慢冷却使分子松弛等。这些措施都有助于降低大分子链的取向度，从而减小压延效应。

第9题：

半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。

正确答案:正确

第10题：

何为沟槽效应？试说明减少或消除沟槽效应的措施有哪些？

正确答案:沟槽效应也称为管道效应、间隙效应，即当药卷与炮孔壁间存在着有月牙形空间时，爆炸产物压缩药卷与孔壁之间的空气会产生冲击波，它超前与爆轰波并压缩药卷，使其密度增加而抑制爆轰。另一种观点认为爆轰波波阵面欠费有一个等离子层，对未反应的药卷表层产生压缩作用，妨碍该层炸药的完全反应，等离子波越强烈，这个表层穿透得救越深，能量衰减的就越大，造成药包爆轰熄灭。实践表明，在小直径炮孔爆破作业中这种效应相当普遍存在着，是影响爆破质量的重要因素之一。
减少或消除沟槽效应的措施如下：
1）加强外包装强度，选用不同的包装涂覆物，如柏油沥青、是拉、蜂蜡等；
2）调整炸药佩服和加工工艺，以缩小炸药爆速与等离子速度间的差值；
3）堵塞等离子体的传播：1在炮孔中的每个药卷间插上一层塑料薄板或填上炮泥2用水或有机泡沫充填炮孔与药卷之间的月牙形间隙3增大药卷直径4沿药包全长放置导爆索起爆5采用散装技术，使炸药全部充填炮孔不留间隙，当然就没有超前等离子层存在。

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