描述热氧化过程。

题目

描述热氧化过程。

参考答案和解析
正确答案:①干氧:Si+O2 SiO2
氧化速度慢,氧化层干燥、致密,均匀性、重复性好,与光刻胶 的粘附性好
②水汽氧化:Si+H2O SiO2(固)+H2(气)
氧化速度快,氧化层疏松,均匀性差,与光刻胶的粘附性差
③湿氧:氧气携带水汽,故既有Si与氧气反应,又有与水汽反应
氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间
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相似问题和答案

第1题:

润滑油闪点降低的原因是():

A、漏进淡水

B、漏入燃油

C、受热氧化

D、混入杂质


参考答案:B

第2题:

燃烧过程是一种热氧化过程,经过氧化反应把空气中的所含有的烃类成分有效的转化为(),其他成分如卤素或者含硫的有机物也可以转化为其他物质。

  • A、CO2
  • B、H2O
  • C、SO2
  • D、NaCI
  • E、CO

正确答案:A,B

第3题:

所谓关键,是指极小的事故就可能导致燃爆或停产者,如热氧化器。( )

此题为判断题(对,错)。


正确答案:√

第4题:

选用机油时,主要考虑()。

  • A、机油油性
  • B、腐蚀性
  • C、粘度与气温
  • D、其热氧化安定性

正确答案:C

第5题:

考试威朗车的氧传感器的类型为:()

  • A、非加热氧化锆型
  • B、加热氧化锆型
  • C、宽带氧化锆型
  • D、宽带氧化钛型

正确答案:B

第6题:

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。


正确答案: 如果假设硅中的杂质分布是均匀的,而且氧化气氛中又不含有任何杂质,则再分布有四种可能。①分凝系数m<l,且在SiO2中是慢扩散的杂质,也就是说在分凝过程中杂质通过SiO2表面损失的很少,硼就是属于这类。再分布之后靠近界面处的SiO2中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近的浓度下降。②m<1,且在SiO2中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO2表面跑到气体中去,杂质损失非常厉害,使SiO2中的杂质浓度比较低,但又要保证界面两边的杂质浓度比小于1,使硅表面的杂质浓度几乎降到零,在H2气氛中的硼就属于这种情况。③m>1,且在SiO2中慢扩散的杂质。再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高,磷就属于这种杂质。④m>l,且在SiO2中快扩散的杂质。在这种情况下,虽然分凝系数大于1,但因大量杂质通过SiO2表面进入气体中而损失,硅中杂质只能不断地进入SiO2中,才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数,最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低,镓就是属于这种类型的杂质。对于m=1,而且也没有杂质从SiO2表面逸散的情况,热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的SiO2,由此,要使界面两边具有相等的杂质浓度(m=1),那么杂质必定要从高浓度硅中向低浓度SiO2中扩散,即硅中要消耗一定数量的杂质,以补偿增加的SiO2体积所需要的杂质。

第7题:

热氧化安定性


正确答案:是指有机热载体在受热状态下,与空气接触时抗氧化反应的能力。

第8题:

油脂老化是指油脂因( )的影响,发生热聚合,热分解和热氧化的变化,从而使油脂粘度增稠,发热点下降,色泽变暗,起泡性增强的物理、化学变化过程。

A.时间长

B.时间短

C.低温

D.高温


参考答案:D

第9题:

钢中含有()元素时可减少钢材的加热氧化。

  • A、Cr
  • B、Ni
  • C、Mo
  • D、Al

正确答案:A,B,D

第10题:

油脂老化是指油脂因()的影响,发生热聚合,热分解和热氧化的变化,从而使油脂粘度增稠,发热点下降,色泽变暗,起泡性增强的物理、化学变化过程。

  • A、时间长
  • B、时间短
  • C、低温
  • D、高温

正确答案:D