当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电

题目

当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。

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第1题:

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。

A、N沟道和P沟道

B、H沟道和P沟道

C、N沟道和H沟道

D、Y沟道和H沟道


参考答案:A

第2题:

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型


正确答案:B

第3题:

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第4题:

绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种


正确答案:正确

第5题:

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案:AB

第6题:

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A、不能形成导电沟道

B、漏极电压为零

C、能够形成导电沟道

D、漏极电流不为零


参考答案:A

第7题:

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


参考答案:P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

第8题:

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )

A、耗尽型

B、增强型

C、P沟道

D、N沟道


参考答案:CD

第9题:

N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()

  • A、正极性
  • B、负极性
  • C、零
  • D、不能确定

正确答案:A

第10题:

结型场效应管的类型有()。

  • A、N沟道结型场效应管
  • B、P沟道结型场效应管
  • C、N沟道增强型MOS管
  • D、P沟道增强型MOS管
  • E、N沟道耗尽型MOS管
  • F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B