当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。
第1题:
A、N沟道和P沟道
B、H沟道和P沟道
C、N沟道和H沟道
D、Y沟道和H沟道
第2题:
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
第5题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第6题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第7题:
第8题:
A、耗尽型
B、增强型
C、P沟道
D、N沟道
第9题:
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
第10题:
结型场效应管的类型有()。