用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
第1题:
刷新存储器的重要性能指标是它的带宽,若显示工作方式采用分辨率为1024╳1024,颜色深度为24位,帧频(刷新速率)为72Hz,求刷新存储器的容量是多少?
第2题:
DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?
第3题:
第4题:
动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?
第5题:
某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。
第6题:
有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?
第7题:
某刷新存储器所需的带宽为160MB/S。实际工作时,显示适配器的几个功能部分要争用刷存的带宽。假定总带宽的50%用于刷新屏幕,保留50%带宽用于其他非刷新功能。问刷存总带宽应为多少?为达到这样的刷存带
第8题:
第9题:
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?
第10题:
某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。