某程序在一个嵌入式系统(200M CPU,50M SDRAM)中已经最优化了,换到零一个系统
(300M CPU,50M SDRAM)中是否还需要优化?(Intel)
第1题:
1999年后出现了性能更优越的存储器DDR SDRAM和RDRAM。下面关于DDRSDRAM和RDRAM的叙述中,正确的是( )。
A.RDRAM和DDRSDRAM一样都是宽通道系统,它们的数据通道和处理器总线的数据通道一样宽,但RDRAM的速度要比DDR SDRAM高
B.由于RDRAM的性能优于DDR SDRAM的性能,因此DDR SDRAM一直没能得到Intel公司的芯片组的支持
C.从目前来看,DDR SDRAM的性能价格比优于RDRAM
D.在相同的存储器总线时钟频率下,DDR SDRAM和SDRAM的数据传输率是相同的
第2题:
嵌入式系统硬件的核心是CPU。下面关于嵌入式系统CPU特点的叙述中,错误的是()。
A.支持实时处理
B.低功耗
C.字长在16位以下
D.集成了测试电路
第3题:
在单CPU系统中,一个处于等待状态的进程一旦分配了CPU,即进入运行状态。()
第4题:
A.intel APU技术平台,真正将CPU与GPU完美的融合在一起,实现效率与资源整合的最优化
B.intel SandyBridge技术平台,CPU与GPU完全融合,实现效率与资源整合的最优化
C.intel Westmere–Clarkdale技术平台,多芯片封装方案,实现效率与资源整合的最优化
第5题:
某按字节编址的嵌入式处理器在进行存储电路设计时,其SDRAM为32位宽,外 围设备SDRAM的地址线AO应该和处理器SoRAM控制器的(28)地址线相连。
A.AO
B.A1
C.A2
D.A3
第6题:
DDR SDRAM是对标准SDRAM的改进,其基本原理是利用存储器总线时钟的上升沿与下降沿在同一个时钟内实现两次数据传送,DDR SDRAM中第一个英文字母 D是英文单词【 】的缩写。
第7题:
嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。
A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中
B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行
C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行
D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
1999年后出现了性能更优越的存储器DDR SDRAM和RDRAM。下面关于DDR SDRAM和RDRAM的叙述中,正确的是( )。
A.RDRAM和DDR SDRAM一样都是宽通道系统,它们的数据通道和处理器总线的数据通道一样宽,但RDRAM的速度要比DDR SDRAM高
B.由于RDRAM的性能优于DDR SDRAM的性能,因此DDR SDRAM一直没能得到Intel公司的芯片组的支持
C.从目前来看,DDR SDRAM的性能价格比优于RDRAM
D.在相同的存储器总线时钟频率下,DDR SDRAM和SDRAM的数据传输率是相同的
第10题: