下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

题目

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

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第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是正确的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：本题比较全面地考查了DRAM和SRAM的性质。DRAM是动态的，需要经常刷新，其集成度较高，因此成本较低，适合大容量的存储器。但是DRSM在数据读出和写入的时候需要刷新时间，而SRAM在存储数据的时候不需要自动刷新，只有在执行写命令时才发生刷新操作，因此工作速度快。所以Ⅱ和Ⅲ是错误的。

第2题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的? ( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第3题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第4题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高

Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高

Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快

Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新

通常情况下，哪两个叙述是正确的?( )

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：DRAM(DynamicRAM)，动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，静态随机存取存储器(staticRAM)，且工作时需要刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度快，集成度也较低。

第5题：

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是( )。

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B

第6题：

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

第7题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高

Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快

Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新

通常情况下，哪两个叙述是错误的？

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错。无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第9题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。 Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

题目

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