单选题由于存在着后沉淀现象，需要控制沉淀物的玷污，其方法是（）。A 玷污随时间的延长而减少B 在较高的温度下，玷污较小C 只有在沉淀物生成后，加入杂质才会造成玷污D 在沉淀前，调节溶液的pH值可以控制玷污的发生E 改变沉淀剂的浓度可以控制玷污的发生

题目

单选题

由于存在着后沉淀现象，需要控制沉淀物的玷污，其方法是（）。

玷污随时间的延长而减少

在较高的温度下，玷污较小

只有在沉淀物生成后，加入杂质才会造成玷污

在沉淀前，调节溶液的pH值可以控制玷污的发生

改变沉淀剂的浓度可以控制玷污的发生

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第1题：

由于存在着后沉淀现象，需要控制沉淀物的粘污，其方法是

A、粘污随时间的延长而减少

B、在较高的温度下，粘污较小

C、只有在沉淀物生成后，加入杂质才会造成粘污

D、在沉淀前，调节溶液的pH可以控制粘污的发生

E、改变沉淀剂的浓度可以控制粘污的发生

参考答案：D

第2题：

玻璃电极在使用前要在水中浸泡24h以上，其目的是（）。

A.清洗电极

B.活化电极

C.校正电极

D.除去玷污的杂质

正确答案：B

第3题：

沉淀玷污的原因有那些?

参考答案：由共沉淀：包括表面吸附，混晶，戏留和包藏;以及后沉淀两种原因。

第4题：

因为存在着后沉淀现象，所以沉淀物的沾污程度（）

A、随时间的延长而减少
B、在较高的温度下，沾污较少
C、只要在沉淀物生成后加入杂质才会造成沾污
D、在沉淀前，调节溶液的pH可以控制沾污的发生
E、改变沉淀剂的浓度可以控制沾污的发生

正确答案:E

第5题：

例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

正确答案:硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。

第6题：

下列哪一项不能去除或减少根管内的玷污层:()

正确答案

第7题：

玻璃电极在使用前一定要在水中浸泡24小时以上，其目的是( )

A.清洗电极

B.活化电极

C.校正电极

D.检查电极好坏

E.除去玷污的杂质

正确答案：B

第8题：

由于存在着后沉淀现象，需要控制沉淀物的玷污，其方法是

A、玷污随时间的延长而减少

B、在较高的温度下，玷污较小

C、只有在沉淀物生成后，加入杂质才会造成玷污

D、在沉淀前，调节溶液的pH值可以控制玷污的发生

E、改变沉淀剂的浓度可以控制玷污的发生

参考答案：D

第9题：

试述预处理生物样品时待测物的损失与玷污。

正确答案: 在样品预处理过程中待测物的损失，是由容器的吸附、蛋白共沉淀、药物不稳定而产生化学降解或与重金属离子配合、衍生化反应不完全、浓缩过程中挥发等因素所致。样品的玷污问题，是由于生物样品内药物测定具有在复杂体系中测定痕量物质的特点，内源性和外源性污染将引起测量结果不可靠，误差变大。在通常实验环境中，所用器皿、材料（塑料、润滑油、滤纸、蒸馏水纯度等）、提取溶剂和衍生化试剂中夹杂的杂质、血样中脂肪酸及其酯类、人体的皮肤、手指接触容器所带入的杂质等都有可能玷污样品。以上这些问题严重时，会使整个测定毫无意义，甚至引起错误判断。

第10题：

作业完成后，要仔细检查服装，如有玷污或破损，需要（）装箱入库以备下次使用

正确答案:清洁和修复后

题目

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