下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()

题目
多选题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
A

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C

突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D

潜伏期短,持续时间短

E

可调节控制感觉信息的传入活动

参考答案和解析
正确答案: B,C
解析: 暂无解析
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第1题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是( )。

A、突触前膜超极化

B、突触后膜超极化

C、突触前膜去极化

D、突触前膜释放抑制性递质

E、潜伏期较短


参考答案:C

第2题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是

A.突触前膜超极化

B.突触后膜超极化

C.突触前膜去极化

D.突触后膜去极化

E.没有神经递质参与


正确答案:C

第3题:

关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的

A、持续时间长

B、突触前膜去极化

C、潜伏期较长

D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E、轴突末梢释放抑制性递质


参考答案:E

第4题:

以下有关突触后抑制的叙述,哪项是错误的:

A.由抑制性突触的活动引起;
B.突出后膜发生超极化
C.兴奋性神经元不会引起突触后抑制
D.突触前膜释放抑制性递质

答案:C
解析:

第5题:

下列有关中枢抑制的叙述,错误的是:

A.中枢抑制的产生不需外来的刺激
B.抑制也可以扩散和集中
C.抑制可分为突触后抑制和突触前抑制
D.抑制也可以总和

答案:A
解析:

第6题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是

A、突触前膜超级化

B、突触后膜超级化

C、突触前膜去极化

D、突触后膜去极化

E、没有神经递质参与


参考答案:C

第7题:

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A.是局部去极化电位

B.具有"全或无"性质

C.是局部超极化电位

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致


正确答案:C

第8题:

下列关于突触前抑制的叙述,错误的是

A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D、潜伏期短,持续时间短

E、可调节控制感觉信息的传入活动


参考答案:BD

第9题:

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?

A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP

答案:A
解析:

第10题:

单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()
A

持续时间长

B

突触前膜去极化

C

潜伏期较长

D

通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E

轴突末梢释放抑制性递质


正确答案: E
解析: 暂无解析