在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的

题目
单选题
在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的
A

选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上;

B

外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性

C

变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差

D

过零比较检测方法:测量结果的分散性稍大

参考答案和解析
正确答案: C
解析: 暂无解析
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第1题:

关于交联聚乙烯电力电缆的介质损耗因数测量,说法正确的是()。

  • A、介质损耗因数测量是其例行试验项目
  • B、可以在工频电压下测量,也可以在0.1Hz低频电压下测量
  • C、介损值大于0.002时,应进一步试验
  • D、试验电压不应超过2500V

正确答案:B,C

第2题:

击穿强度高,介质损耗因数tgδ小的绝缘油,体积电阻一定小。


正确答案:错误

第3题:

电容型设备介质损耗因数的测量方法有()。

A高压标准电容法

B低压标准电容法

C高压电感法

D低压电感法


A,B

第4题:

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?


正确答案: 小电容(小于500pF)试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳(垫绝缘)的介质损耗因数,测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉(电桥正接线测量时,接地点是电桥的屏蔽点)。为了在现场测试方便,可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数,便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷,而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小,而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大,也就对测量结果(反接线测量的综合介质损耗因数)有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰,测量误差较小的特点,一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

第5题:

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?


正确答案: 应特别注意的外界影响因素有:
①电力设备绝缘表面脏污。
②电场干扰和磁场干扰。
③试验引线的设置位置、长度。
④温度与湿度。
⑤周围环境杂物等。

第6题:

测量介质损耗因数,通常不易发现()。

  • A、整体受潮
  • B、绝缘油劣化
  • C、小体积试品的局部缺陷
  • D、大体积试品的局部缺陷

正确答案:D

第7题:

测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时,同一绕组的套管()。


正确答案:应短接

第8题:

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。


正确答案:错误

第9题:

在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的

  • A、选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上;
  • B、外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
  • C、变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差
  • D、过零比较"检测方法:测量结果的分散性稍大

正确答案:C

第10题:

测量介质损耗因数,通常能发现的设备绝缘缺陷是()。

  • A、整体受潮
  • B、整体劣化
  • C、小体积试品的局部缺陷
  • D、大体积试品的局部缺陷

正确答案:A,B,C

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