对
错
第1题:
第2题:
第3题:
A、变大
B、变小
C、不变
D、无法判断
第4题:
对单向膜区的说法哪个不正确()。
第5题:
均匀带电q的球体内离球心r处的场强:()
第6题:
第7题:
下列说法错误的是:()。
第8题:
第9题:
在加工界面内计算刀具中心轨迹时,若球头刀半径为R,则球头刀球心距加工表面距离应为()。
第10题:
下列关于黑洞说法错误的是:()。
单选题下列关于黑洞说法错误的是:()。A 洞内是单向膜区B 时间指向奇点C R=0处是黑洞的球心D 进入黑洞的物体不能停留,落向奇点
填空题以球面顶点O为原点,球心C在O点右侧,则曲率半径r为正(正或负),球心C在O点左侧,则曲率半径r为()
以点电荷Q所在点为球心,距点电荷Q的距离R处的电场强度E://()。A、Q/4πε0R2B、Q/4πε0RC、Q/2πε0R2D、Q/4πR
单选题对单向膜区的说法哪个不正确()。A 事件指向奇点B 进入黑洞的物质不能停留,落向奇点C R=0是球心,并且是时间的终点D 黑洞内部都是真空
半径为R的不均匀带电球体,电荷体密度分布为ρ=Ar,式中r为离球心的距离(r≤R),A为一常数,则球体中的总电量()
单选题下列说法错误的是:()。A 史瓦西黑洞是黑洞的激发态B 带电不转动的黑洞是R-N黑洞C 既转动又带电的黑洞是KERR-NEWMAN黑洞D 转动不带电的黑洞是KERR黑洞
带电量Q的导体A置于外半径为R的导体球壳B内,则球壳外离球心r处的电场强度大小(),球壳的电势()。
r=0处是黑洞的球心。
单选题球对称黑洞外部,t是时间坐标,r,θ,φ是空间坐标。黑洞内部“t,r,θ,φ”中哪一个是时间坐标?()A tB φC θD r
均匀带电球面,球面半径为R,总带电量为q,则球心O处的电场E0=(),球面外距球心r处一点的电场Eφ=()。