试述晶体外延的意义，列出三种外延方法。

第1题：

第2题：

延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

第3题：

第4题：

概念的划分是从（）方面明确概念的逻辑方法。

• A、本质属性
• B、外延和内涵
• C、外延
• D、内涵

第5题：

划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。

第6题：

外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

第7题：

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

第8题：

第9题：

概念的内涵和外延之间的关系是（）。

• A、概念的内涵越深其外延越广
• B、概念的内涵越浅其外延越广
• C、概念所包含的属性越多其外延越广
• D、概念所包含的属性越少其外延越广

第10题：

定义是揭示概念外延的逻辑方法。