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以下关于DRAM芯片与SRAM芯片的特性比较中，正确的是（）。

题目
多选题
以下关于DRAM芯片与SRAM芯片的特性比较中，正确的是（）。
A

前者比后者存取速度慢

B

前者比后者单个芯片上的存储容量大

C

前者比后者价格高

D

前者比后者能更长久地保存数据

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第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④


正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要 定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入， 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第2题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第3题：

关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。

A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进

B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开

C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新

D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的，允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作


正确答案：B

第4题：

PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，正确的是( )。

A．SRAM和DRAM都是RAM，芯片掉电后，存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失

B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般也会丢失

C．由于SRAM的速度比DRAM的慢，因此，在PC中，DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成

D．ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器，因此，现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息


正确答案：A

第5题：

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：B
解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

第7题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第8题：

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：

A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B．SRAM的集成度比DRAM高

C．DRAM的存取速度比SRAM快

D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成


正确答案：D

第9题：

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：D

第10题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高

Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高

Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快

Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新

通常情况下，哪两个叙述是正确的?( )

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：D
解析：DRAM(DynamicRAM)，动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，静态随机存取存储器(staticRAM)，且工作时需要刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度快，集成度也较低。

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