下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。

题目
单选题
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。
A

NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

B

NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势

C

NOR Flash写入和擦除速度较慢

D

数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

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第1题:

下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。

A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种

B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种

C.FRAM已得到使用

D.目前还没有使用Cache存储器


正确答案:D

第2题:

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。

A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势

C.NOR Flash写入和擦除速度较慢

D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


正确答案:D

第3题:

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(13)。

A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些

B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些

C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些

D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作


正确答案:A
解析:NANDFlash的读取速度比NORFlash稍慢一些,其随机读取能力差,适合大量数据的连续读取。

第4题:

在嵌入式系统设计中,一般包含多种类型的存储资源,比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中,正确的是______。

A.EEPROM是电不可擦除的ROM
B.Nand Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程
C.NOR Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程
D.ROM是用来存储数据的,其上面的数据可以随意更新,任意读取

答案:B
解析:
本题考查嵌入式系统存储器方面的基础知识。在嵌入式系统设计中,一般包含多种类型的存储资源,比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。ROM是只读内存(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,并且资料不会因为电源关闭而消失。EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash和NAND Flash),性能同ROM,EEPROM被称为电擦除的ROM。NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放量大的数据。由于NOR地址线和数据线分开,所以NOR芯片可以像SRAM—样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片,它的传输效率很高,可执行程序可以在芯片内执行(XI P,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点,嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。但是NAND上面的代码不能直接运行。从使用角度来看,NOR闪存与NAND闪存是各有特点的:(1)NOR的存储密度低,所以存储一个字节的成本也较高,而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高;(2)NAND闪存在擦、写文件(特别是连续的大文件)时速度非常快,非常适用于顺序读取的场合,而NOR的读取速度很快,在随机存取的应用中有良好的表现。RAM(random access memory,随机存储器)的内容可按需随意取出或存入,且存取速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序和数据。按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对地,读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系(如磁带)。如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM不会。

第5题:

下列那些存储器可以做嵌入式系统的主存( )

A. Nor Flash

B. 移动硬盘

C. SRAM

D. EPROM

E. Nand Flash


参考答案ACD 

第6题:

下面关于S3C2410存储器控制的叙述中,错误的是()。

A.存储器控制器和NAND Flash控制器等属于存储器控制组件

B.系统的I/O与存储器采用统一编址方式

C.地址空间共1GB

D.所有BANK的总线宽度只能选择16位或32位


正确答案:D

第7题:

简述NAND_FLASH和NOR_FLASH的异同点?


正确答案:
答案:Nor-flash的读速度比Nand-Flash快Nor-flash的写速度比Nand-Flash慢Nor-flash的擦除速度比Nand-Flash慢大多数写入操作需要先进行擦除操作Nand-flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少Norflash待用SRAM接口,有足够多的地址引脚,容易进行电路设计Nand-flash使用复杂的I/O口串行传输数。单位面积内Nand-flash存储容量更大Nand-flash占据大容量存储市场(8-128M)可靠性和耐用性nandFlash更优秀(可擦写次数100万:10万)易用性Nor-flash不需要软件支持,片上执行Nandflash需要驱动程序支持

第8题:

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。

A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些

B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些

C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些

D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

A.

B.

C.

D.


正确答案:A

第9题:

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。

A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中

B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器


正确答案:C
本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中,一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂,所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上,所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘,就需要CPU具备特殊的功能,如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能,用户不能直接运行NANDFlash上的代冯,那可以采取其他方式,比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外,还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash,SDRAM的访问读写速度要快得多。

第10题:

NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()

  • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
  • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
  • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
  • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

正确答案:D

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