简述光刻胶的成分特征。

题目
问答题
简述光刻胶的成分特征。
参考答案和解析
正确答案: 光学光刻胶通常包含有三种成份:
①聚合物材料(也称为树脂):聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应,其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性,同时也决定了光刻胶薄膜的其它一些持性(如光刻胶的膜厚、弹性和热稳定性)。
②感光材料:感光材料一般为复合物(简称PAC或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用,可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生,使抑制剂变成了感光剂,从而增加了胶的溶解速率。
③溶剂(如丙二醇一甲基乙醚,简称PGME):溶剂的作用是可以控制光刻胶机械性能(例如基体黏滞性),并使其在被涂到硅片表面之前保持为液态。
解析: 暂无解析
如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第2题:

简述变质岩的矿物成分特征。


正确答案: (1)出现一些岩浆岩、沉积岩中都不出现的特征变质矿物,如红柱石、堇青石、十字石、矽线石、蓝晶石、硅灰石等,它们分别产出于不同的P-T条件。
(2)广泛发育纤维状、鳞片状、长柱状、针状矿物,如矽线石、绢云母等。
(3)出现比重大、分子体积小的矿物,如石榴石、绿辉石。
(4)变质岩中的矿物常发育变形现象。
(5)变质岩中含(OH)的矿物与岩浆岩相比更发育。
(6)变质岩中的石英,长石等矿物常具波状消光,裂纹也较发育。

第3题:

简述青蒿的来源、主要性状鉴别特征及主要有效成分。


参考答案:①菊科植物黄花蒿Artemisiae annua L的干燥地上部分;②茎圆柱形,上部多分枝。表面黄绿色或棕黄色,具纵棱线;断面中央有髓;叶互生,三生羽状深裂,两面被短毛;花为头状花序;气香特异,味微苦;③倍半萜类(青蒿素artemisinin,为抗疟有效成分)。

第4题:

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。


正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度,显影时间,显影液量,硅片洗盘,当量浓度,清洗,排风。

第5题:

简述核仁的电镜结构特征及其各部分的组成成分


正确答案:①纤维中心
是rDNA基因的存在部位
②致密纤维成分
含有正在转录的rRNA分子③颗粒成分

第6题:

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。

  • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
  • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
  • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
  • D、有较高的光敏度
  • E、有较高的对比度

正确答案:A,B,C,D,E

第7题:

简述碎屑岩的颗粒结构组分的成分及其特征。


正确答案: 结构组分包括碎屑岩颗粒、杂基(或基质)、胶结物和孔隙。
碎屑颗粒的结构特征一般包括粒度、球度、形状、圆度以及颗粒的表面结构。

第8题:

简述酱香型酒的特征香气成分。


正确答案:酸含量高。其中除乙酸、乳酸最多外,还含有多量的异丁酸、异戊酸。
酯含量虽不及浓香型酒多,但从低沸点的甲酸乙酯到中、高沸点的辛酸乙酯、棕榈酸乙酯都存在。其中多量的丙酸乙酯、异丁酸乙酯、异戊酸乙酯时有出现。
醛酮类含量大。除含有多量的乙醛、乙缩醛外,糠醛含量为所有各香型白酒之冠。同时异戊醛、苯甲醛、丁二酮、3-羟基丁酮的含量也是出众的。

第9题:

简述肉桂在来源、鉴别特征、化学成分及性味功效方面的特征。


正确答案:来源肉桂为樟科植物肉桂Cinnamomum casssia Presl的干燥树皮。
性状特征“企边桂”浅槽状,“油桂筒”多呈筒状,外表面灰棕色,有不规则的细皱纹及横向突起的皮孔,有的可见灰白色斑纹;内表面红棕色,略平坦,有细纵纹,划之显油痕。质硬而脆,易折断,断面不平坦,外层棕色而粗糙,内层红棕色而油润,两层之间有1条黄棕色的线纹。气香浓烈,味甜、辣。
显微特征横切面皮层散有石细胞及分泌细胞。中柱鞘部位有石细胞群,断续排列成环,外侧伴纤维束,石细胞通常外壁较薄。韧皮射线宽1~2列细胞,含细小草酸钙针晶;纤维常2~3个成束;油细胞随处可见。
粉末红棕色。①纤维大多单个散在,长梭形,纹孔不明显。②石细胞类方形或类圆形,壁厚,有的一面菲薄。③油细胞类圆形或长圆形。④草酸钙针晶细小,散在于射线细胞中。
化学成分含挥发油,油中主要成分为桂皮醛。另含二萜类化合物桂二醇萜、乙酰桂二萜醇、肉桂萜醇等。
性味功效性大热,味辛、甘。属于温里药。补火助阳,引火归原,散寒止痛,活血通经。

第10题:

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。

  • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
  • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
  • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
  • D、有利于以后的去胶工序
  • E、减少光刻胶的缺陷

正确答案:A,B,C,E