MR梯度磁场切换率的单位是（）
第1题：
普通圆柱蜗杆传动的正确啮合条件是( ) (注：下标t表示端面，a表示轴向，1表示蜗杆、2表示蜗轮)
A.mt1=ma2??,αt1=αa2??,γ=β????
B.mt1=mt2,αa1=αt2??,γ=β
C.mt1=ma2??,αt1=αa2?,γ=-β
D.ma1=ma2??,αa1=αt2??,γ=-β????
第2题：
在MRI性能参数中，mT/m/ms表示的是下列哪项参数的单位
A、梯度切换率
B、梯度场强
C、射频切换率
D、梯度线性度
E、主磁场强度
第3题：
有关梯度切换率的叙述，错误的是()
A.是指单位时间及单位长度内梯度磁场强度变化量
B.常用每秒每米长度磁场变化毫特斯拉量(mT/M.S)
C.切换率越高表明梯度磁场切换越快
D.梯度越高也即梯度线圈通电后梯度磁场达到预设值所需的时间越短
E.是指单位时间内的梯度磁场强度变化量
第4题：
试题三（共15分）
阅读以下说明和C 函数，将应填入（n） 处的字句写在答题纸的对应栏内。
[说明]
若一个矩阵中的非零元素数目很少且分布没有规律，则称之为稀疏矩阵。对于m行n 列的稀疏矩阵M，进行转置运算后得到n 行m列的矩阵MT，如图3-1 所示。
函数TransposeMatrix(Matrix M)的功能是对用三元组顺序表表示的稀疏矩阵M 进行转置运算。
对 M 实施转置运算时，为了将M 中的每个非零元素直接存入其转置矩阵MT 三元组顺序表的相应位置，需先计算M 中每一列非零元素的数目（即MT 中每一行非零元素的数目），并记录在向量num 中；然后根据以下关系，计算出矩阵M 中每列的第一个非零元素在转置矩阵MT 三元组顺序表中的位置：
cpot[0] = 0
cpot[j] = cpot[j-1] + num[j-1] /* j 为列号 */
类型ElemType、Triple 和Matrix 定义如下：
typedef int ElemType;
typedef struct { /* 三元组类型 */
int r,c; /* 矩阵元素的行号、列号*/
ElemType e; /* 矩阵元素的值*/
}Triple;
typedef struct { /* 矩阵的三元组顺序表存储结构 */
int rows,cols,elements; /* 矩阵的行数、列数和非零元素数目 */
Triple data[MAXSIZE];
}Matrix;
[C函数]
int TransposeMatrix(Matrix M)
{
int j,q,t;
int *num, *cpot;
Matrix MT; /* MT 是M的转置矩阵 */
num = (int *)malloc(M.cols*sizeof(int));
cpot = (int *)malloc(M.cols*sizeof(int));
if (!num || !cpot)
return ERROR;
MT.rows = (1) ; /* 设置转置矩阵MT行数、列数和非零元数目*/
MT.cols = (2) ;
MT.elements = M.elements;
if (M.elements > 0) {
for(q = 0; q < M.cols; q++)
num[q] = 0;
for(t = 0; t < M.elements; ++t) /* 计算矩阵M 中每一列非零元素数目*/
num[M.data[t].c]++;
/* 计算矩阵M中每列第一个非零元素在其转置矩阵三元组顺序表中的位置*/
(3) ;
for(j = 1;j < M.cols; j++)
cpot[j] = (4) ;
/* 以下代码完成转置矩阵MT三元组顺序表元素的设置 */
for(t = 0; t < M.elements;t++){
j = (5) ; /* 取矩阵M 的一个非零元素的列号存入j */
/* q 为该非零元素在转置矩阵MT 三元组顺序表中的位置（下标）*/
q = cpot[j];
MT.data[q].r = M.data[t].c;
MT.data[q].c = M.data[t].r;
MT.data[q].e = M.data[t].e;
++cpot[j]; /* 计算M 中第j列的下一个非零元素的目的位置 */
}/* for */
}/* if */
free(num); free(cpot);
/*此处输出矩阵元素，代码省略*/
return OK;
}/* TransposeMatrix */
第5题：
A.3.1m
B.3.4m
C.3.5m
D.3.6m
第6题：
在MR性能参数中，mT/（m·ms）表示
A、切换率
B、梯度场强
C、磁体长度
D、采集时间
E、固有磁场场强
第7题：
全身MRI设备中使用的梯度场多在 ( )
A.0.1～1.0mT/m
B.0.5～1.5mT/m
C.1～10mT/m
D.10～100mT/m
E.15～150mT/m
第8题：
A、mt1=m2,αt1=α2,λ=β
B、m1=mt2,α1=αt2,λ=β
C、mt1=m2,αt1=α2,λ=-β
D、m1=m2,α1=αt2,λ=-β
第9题：
在MRI性能参数中，mT/m表示的是下列哪项参数的单位
A、梯度场线性
B、梯度场强
C、梯度场切换率
D、磁场均匀性
E、磁场强度
第10题：
进行缓控制剂的释放曲线拟合时，Higuchi释药方程为
A.1n[1一Mt／M。)=一kt
B.Mt／M。=一kt1/2
C.Mt／M。=kt
D.MtM。=k1t“+k2t2n
E.Mt／M。=kt0?45