当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
第1题:
M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。
A对
B错
第2题:
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。
A对
B错
第3题:
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
A对
B错
第4题:
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
第5题:
当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。
A对
B错
第6题:
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
A对
B错
第7题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
A对
B错
第8题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
A对
B错
第9题:
当被试品本身电容量较大时,可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。
第10题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。