E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程

题目

E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。

  • A、紫外线光
  • B、电脉冲
  • C、光脉冲
  • D、激光
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第1题:

在各种存储器中,闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器,与E2PROM相比其特点是(8)。

A.擦除和读出速度较快,可擦字节擦除

B.擦除和读出速度较快,只能按数据块擦除

C.擦除和读出速度较慢,只能按数据块擦除

D.擦除和读出速度较慢,可按字节擦除


正确答案:B
解析:闪速存储器又叫快擦存储器,也是一种电可擦可编程只读存储器,但与E2PROM电可擦可编程只读存储器不同,E2PROM擦除数据时利用较高的编程电压擦除有关单元,或进行全片擦除,擦除时间较长,速度较慢。闪速存储器使用较低电压,擦除时间更快,但擦除时是按数据块擦除,不能按字节擦除,读出时速度较快。

第2题:

E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。

A.紫外线光

B.电脉冲

C.光脉冲

D.激光


参考答案:B

第3题:

PLC的存储器分为系统存储器和用户存储器,其中系统存储器为ROM或E2PROM结构,而用户存储器主要为RAM结构。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错

第4题:

存储卡是可以直接对其进行()操作的存储器。

  • A、读、写
  • B、读
  • C、写
  • D、编辑

正确答案:A

第5题:

下列关于GPIO描述正确的是()

  • A、GPIO可以由CPU编程决定方向,但不能查询其状态
  • B、GPIO通常用于连接外部的SDRAM,进行高速传输
  • C、CPU可以通过编程,决定GPIO是输入、输出的通信功能,但不能是双向的
  • D、GPIO可以用于模拟Flash的接口,对Flash存储器进行读写操作

正确答案:D

第6题:

下列关于编程只读存储器的叙述中,正确的是( )。

A.其存储内容可根据用户需求不同,随时可由用户对它再编程

B.其存储内容是由制造厂商在生产过程按预定要求写入的

C.其英文缩写为EPROM

D.其存储内容只能由用户写一次


正确答案:D

第7题:

下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()

  • A、Flash存储器属于非易失的存储器
  • B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同
  • C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同
  • D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

正确答案:C

第8题:

E2PROM是指()

A、掩膜只读存储器

B、可编程只读存储器

C、可擦除可编程只读存储器

D、电可擦除只读存储器


参考答案:D

第9题:

在下列存储器中,()表示可读/写存储器。

  • A、ROM
  • B、RAM
  • C、EPROM
  • D、E2PROM

正确答案:D

第10题:

某系统需要永久存放高速度写的数据,最合适的存储器是()

  • A、SRAM
  • B、FRAM
  • C、EEPROM
  • D、Flash

正确答案:B

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