单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检

题目

单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()

  • A、近场干扰
  • B、材质衰减
  • C、盲区
  • D、折射
参考答案和解析
正确答案:C
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第1题:

与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是()

  • A、单斜探头法
  • B、单直探头法
  • C、双斜探头前后串列法
  • D、分割式双直探头法

正确答案:C

第2题:

筒形锻件最主要探测方向是:()

  • A、直探头端面和外圆面探伤
  • B、直探头外圆面轴向探伤
  • C、斜探头外圆面轴向探伤
  • D、以上都是

正确答案:A

第3题:

超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是()。

A、润滑接触面,尽量减少探头的磨损;

B、排除探头与探测面间的空气;

C、晶片与探测面直接接触时就不会产生振动;

D、使探头可靠地接触;


参考答案:B

第4题:

直探头接触法探伤时,发现缺陷回波较低,且底面回波降低或消失的原因是与工件表面呈()。


正确答案:较大角度

第5题:

单晶片探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为盲区。


正确答案:正确

第6题:

用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用()探伤

  • A、纵波接触法
  • B、水浸探伤法
  • C、横波接触法
  • D、表面波接触法

正确答案:B

第7题:

单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。

  • A、近场干扰
  • B、衰减
  • C、盲区
  • D、折射

正确答案:C

第8题:

轴类锻件最主要探测方向是:()

  • A、轴向直探头探伤
  • B、径向直探头探伤
  • C、斜探头外圆面轴向探伤
  • D、斜探头外圆面周向探伤

正确答案:B

第9题:

单晶片直探头接触法探伤中,与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为()。

  • A、近场干扰
  • B、材质衰减
  • C、盲区
  • D、选择范围

正确答案:C

第10题:

接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()

  • A、联合双探头
  • B、普通直探头
  • C、表面波探头
  • D、横波斜探头

正确答案:A

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