DRAM

题目

DRAM

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第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第2题：

DRAM与SRAM比较:()

A、DRAM比SRAM速度快

B、DRAM比SRAM价格低

C、DRAM比SRAM较容易使用

参考答案：B

第3题：

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：

A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B．SRAM的集成度比DRAM高

C．DRAM的存取速度比SRAM快

D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

正确答案：D

第4题：

EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。

A.没有区别

B.EDO RAM比FPM DRAM的快

C.FPM DRAM比EDO RAM的快

D.EDO RAM比FPM DRAM小

E.FPM DRAM比EDO RAM价格高

参考答案：B

第5题：

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第6题：

PC机中，DRAM内存条的速度与类型有关，若按存取速度从低到高的顺序排列，正确的是

A．SDRAM、RDRAM、EDO DRAM

B．EDO DRAM、SDRAM、RDRAM

C．EDO DRAM、RDRAM、SDRAM

D．RDRAM、EDO DRAM、SDRAM

正确答案：B
解析：本题考查对DRAM工作速度的掌握。RDRAM，EDODRAM，SDRAM都是提高DRAM读写速度的技术，其中RDRAM速度最快，EDODRAM存取速度最慢。

第7题：

CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。

A、cache、DRAM和硬盘

B、DRAM、cache和硬盘

C、硬盘、DRAM和cache

D、DRAM、硬盘和cache

参考答案：A

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第9题：

SRAM和DRAM的区别?()

A.SRAM比DRAM功耗高

B.SRAM比DRAM成本高

C.SRAM比DRAM速度快

D.SRAM比DRAM散热大

参考答案：ABCD

第10题：

内存频率分为()、()和()三种频率。

A.数据、存取周期和DRAM核心

B.数据、时钟和SRAM核心

C.数据、时钟和DRAM核心

D.地址、时钟和DRAM核心

参考答案：C

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