MOSFET的温度特性体现为:()。

题目
单选题
MOSFET的温度特性体现为:()。
A

温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高

B

温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降

C

温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高

D

温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

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第1题:

IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR&"160;

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTO


参考答案:B

第2题:

SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。


参考答案:多子导电;相当;大;高频大功率

第3题:

()是电压控制型电力电子器件。

A.P-MOSFET、GTO

B.TRIAC、GTR

C.P-MOSFET、IGBT

D.IGBT、SITH


正确答案:CD

第4题:

MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和()


正确答案:雪崩区

第5题:

电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。

A、电导调制效应

B、正的温度系数

C、负的温度系数

D、擎住效应


参考答案:B

第6题:

电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。


参考答案:正;电流自动均衡;并联

第7题:

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0


参考答案:B

第8题:

IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。

A、GTM

B、GTN

C、GTO

D、GTR


参考答案:C

第9题:

利用手体电阻随温度变化而变化的特性制成的传感器为热电势温度传感器


正确答案:错误

第10题:

火花塞的热特性主要决定于火花塞绝缘体裙部长度,绝缘体裙部短,裙部温度低,称为()。


正确答案:冷型