离子注入的沟道效应

题目
名词解释题
离子注入的沟道效应
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相似问题和答案

第1题:

离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

  • A、能量
  • B、剂量

正确答案:A

第2题:

什么叫离子注入,它的特点是什么?


正确答案: 在真空中将元素电离,并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注

入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度

能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

叫离子注入。其特点是深度浅,而在使用中,注入元素仍能继续向里迁移。由于注

入时工件温度低,故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时,注入能量及注入深度

能准确控制,注入层结合力强,无剥落现象。

第3题:

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。

  • A、能量
  • B、剂量

正确答案:B

第4题:

单选题
离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。
A

 电活性

B

 晶格损伤

C

 横向效应

D

 沟道效应


正确答案: A
解析: 暂无解析

第5题:

问答题
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免?

正确答案: 对晶体进行离子注入时,当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时,一些离子将沿沟道运动,受到的核阻止作用很小,而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小,这些离子的能量损损失率很低,注入深度就会大于无定形衬底中深度,这种现象称为沟道效应。
沟道效应的存在,使得离子注入的浓度很难精确控制,因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾,偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧:
(1)、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
(2)、将硅晶片偏离主平面5-10度,也能有防止离子进入沟道的效果。
(3)、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面,可在硅晶片表面产生一个随机层。
解析: 暂无解析

第6题:

离子注入


正确答案:离子注入:将预先选择的元素原子电离,经电场加速,获得高能量后注入工件的表面改性工艺。

第7题:

对沟道效应,沿着主晶轴方向入射时,角分布半宽度的典型值为多少。


正确答案:零点几度到几度之间。

第8题:

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?


正确答案: 沟道效应:对晶体靶进行离子注入,当离子速度方向平行于主晶轴时,将很少受到核碰撞,离子将沿沟道运动,注入深度很深。由于沟道效应,使注入离子浓度的分布产生很长的拖尾,对于轻原子注入到重原子靶时,拖尾效应尤其明显。解决办法:A.偏离轴注入,采用7°的倾斜角,但并不能完全消除沟道效应。B.注入前破坏晶格结构,使用Si、F或Ar离子注入完成硅的预非晶化。C.使用薄的屏蔽氧化层,使离子进入晶体前的速度方向无序化,但会将部分氧注入晶体。(1)偏轴注入:一般选取5~7倾角,入射能量越小,所需倾角越大(2)衬底非晶化预处理:进行一次高剂量Ar+注入,使硅表面非晶化(3)非晶层散射:表面生长200~250Å二氧化硅(ScreenOxidE.,使入射离子进入硅晶体前方向无序化(4)注入杂质的自非晶化效应:重杂质(As),高剂量注入。

第9题:

填空题
阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。

正确答案: 减小
解析: 暂无解析

第10题:

问答题
MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?

正确答案: 短沟道效应是指:当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时,发生短沟道效应,栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制,其中有一部分受源、漏控制,产生耗尽区电荷共享,并且随着沟道长度的减小,受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象
影响: 由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少,只需要较少的栅电荷就可以达到反型,使阈值电压降低;沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。
解析: 暂无解析