V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。

题目

V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。

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第1题:

硒鼓或感光带由( )制成。

A.半导体

B.释放电子

C.光导材料

D.硒、锗或硅


正确答案:C

第2题:

对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。


参考答案:锑;磷;砷

第3题:

在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。

A、本征半导体

B、P型半导体

C、N型半导体

D、PN结


正确答案:A

第4题:

N型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定,所以称为()型半导体。

A空穴

B电子

C光敏

D热敏。


B

第5题:

在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:对

第6题:

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()


参考答案:错误

第7题:

如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。

A、N型

B、P型

C、本征


参考答案:C

第8题:

电子为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。


参考答案:N型

第9题:

材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。()


答案:对
解析:

第10题:

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子,空穴;扩散,飘移 
  • B、空穴,自由电子;漂移,扩散 
  • C、空穴,自由电子;扩散,漂移 
  • D、自由电子,空穴;漂移,扩散 
  • E、自由电子,空穴;扩散,扩散

正确答案:C