半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的
第1题：
A、掺杂浓度
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
第2题：
A、温度
B、杂质浓度
C、原本征半导体的纯度
第3题：
A、掺杂种类
B、掺杂浓度
C、温度
D、电压
第4题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
第5题：
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
第6题：
A、掺杂浓度
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
第7题：
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
E.空穴
F.自由电子
第8题：
A、杂质浓度
B、温度
C、输入
D、电压
第9题：
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
第10题：
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。